Intel SSD 320

Ugyan némi csúszással, de bő másfél évvel a méltán népszerű X25-M G2 debütálása után megérkezett a harmadik generációs várva várt utód, az SSD 320. Az elsősorban mainstream kategóriába szánt meghajtó a sorozat egy újabb, evolúciós leszármazottjának tekinthető, és nem egy alapjaiban véve teljesen új fejlesztésnek. Az előző generációk remekül sikerültek, hisz a szekvenciális írást leszámítva mind sebességben, mind pedig megbízhatóságban igen tisztességesen helytálltak. Ez utóbbiban olyannyira, hogy jelenleg is az Intel vezeti az SSD-k megbízhatósági rangsorát. A gyártó nem titkoltan azt a célt tűzte ki maga elé, hogy a 320-as sorozattal még az előzőeknél is megbízhatóbb és nagyobb adatbiztonságot nyújtó szériát hozzon létre.

Intel SSD 320 [+]

Talán a legnagyobb változás, hogy a korábban alkalmazott 34 nm-es MLC NAND chipeket immáron 25 nm-es darabok váltották fel. Az új, kisebb csíkszélességű lapka az Intel és a Micron közös fejlesztésének legfrissebb gyümölcse. Mint ahogy a processzoroknál megszokhattuk, a csíkszélesség csökkenésével a szükséges szilícium mennyisége is redukálódhat, ami a gyártási költségekre lehet kedvező hatással. Jelen esetben ez úgy nyilvánul meg, hogy hasonló terület mellett nagyobb tárkapacitású NAND lapkák gurulhatnak le a gyártósorokról (kevesebb chip szükséges hasonló kapacitáshoz). Ezzel egyetlen chip kapacitása a duplájára nőtt az előző generációhoz képest, így már egy 600 gigabájtos meghajtó legyártása sem jelent problémát.

Azonos kapacitás kisebb területen

Ahogy minden csíkszélességváltásnál, most is komoly kihívásokkal kellett szembenézniük a mérnököknek. Mint ahogy talán sokan tudják, a NAND flash memóriák cellái korlátozott mennyiségben írhatók, azaz csak egy bizonyos mennyiségű írási ciklust viselnek el életük folyamán, a csíkszélesség csökkentése pedig sajnos negatív hatással van erre az értékre. Mindemellett növekszik az úgynevezett hibaráta is, minek okán a kifogástalan működéshez szükséges hibajavítások (ECC) számának is emelkednie kell, ez pedig a meghajtó sebességének rovására mehet. Az új 25 nm-es lapkák írási késleltetése az elődhöz képest 900 µs-ról 1200 µs-ra nőtt, míg egy teljes blokk törlési késleltetése 2 µs-ról 3 µs-ra emelkedett. A gyártó mindezek kompenzálására 4-ről 8 kB-ra növelte a lapméretet.

A probléma

Az 50 nm-es MLC NAND lapkák még durván 10 000 írási ciklust viseltek el. Ez a szám 34 nm-en a felére, nagyjából 5000 környékére esett, míg 25 nm-en az érték már csak 3000 körüli. A probléma kezelésére szerencsére léteznek megoldások. Ilyen lehet a vezérlő (controller) és a vezérlőszoftver (firmware) továbbfejlesztése, optimalizálása is. Például a SandForce SF-1000 szériája ennek okán egy tömörítésen alapuló eljárást is alkalmaz, minek köszönhetően kevesebb adatot kell a chipekbe kiírni. Ezen túlmenően egy RAISE (Redundant Array of Independent Silicon Elements) elnevezésű megoldást is használ a SandForce. Ez a RAID 5 rendszerekhez némileg hasonló védelmet képes nyújtani, amennyiben egy cella vagy netán egy teljes NAND lapka használhatatlanná válna a meghajtóban. Jelen tesztünk első szereplője is egy ilyen jellegű technikát alkalmaz.

[+]

A cikk még nem ért véget, kérlek, lapozz!