A bérgyártók közül a TSMC és a GlobalFoundries tervei már ismertek a 28 nm-es gyártástechnológiát illetően, de az UMC sem kis versenyző, és nem volt kérdés, hogy váltanak a 28 nm-es lépcsőre. Az utóbbi vállalat három eljárást kínál majd LPT, HLP és HPM jelzéssel. Mindegyik node 193 nm-es immerziós litográfiára épít, de az első kettő SiON/poly-Si megvalósítást használ, míg az utóbbi High-K dielektrikumú fém alapú kapuelektródák alkalmaz, azon belül is az RMG (Replacement Metal-Gate), vagy más néven gate last megvalósítással készülhetnek a chipek.
Az új gyártástechnológiákon az UMC egyik partnere az ARM lesz, és a brit tervezőcég felkészíti az új architektúráit valamennyi node-ra. A bérgyártó a kísérleti gyártást a következő év közepén kezdi meg, és ez elsősorban a 28 nm-es LPT és HLP technológiákra vonatkozik. Az előbbi node-on lényegében alacsony energiaigényű mobil lapkák készülhetnek, míg az utóbbit szintén alacsony energiaigényű, de magasabb teljesítményű chipekhez érdemes használni. Ha minden jól megy, akkor az első 28 nm-es lapkák tömeggyártását már 2012 végén megkezdheti az UMC, de csak a SiON/poly-Si megvalósítást használva. A HKMG-re alapozó HPM technológiával nehezebb bánni, így az erre építő lapkák vélhetőleg 2013 előtt nem kerülnek tömeggyártásba, de a kísérleti gyártás a következő év második felében megkezdődhet.
