A Toshiba kutatói az ISSCC konferencián olyan FeRAM (Ferroelectric RAM) chipet mutattak be, mely a korábbinál nagyobb cellasűrűséget, vagyis azonos magméret mellett nagyobb kapacitást, továbbá megnövelt adatátviteli sebességet tud felmutatni. A FeRAM működési elvét tekintve hasonló a számítástechnika hőskorában használt ferritgyűrűs memóriához, ám természetesen jóval kisebb, gyorsabb és energiatakarékosabb.
A DRAM-okhoz hasonló felépítésű FeRAM cellákba egy vékony ferroelektromos tulajdonságú filmréteg kerül, mely kétféleképpen polarizálható, így állítható be a „0” és „1” bitnek megfelelő állapot. Bár az olvasáshoz és íráshoz szükséges energia nagyobb, mint a DRAM esetében, a polarizáció fenntartása nem igényel állandó feszültséget vagy periodikus frissítést, így a FeRAM chipek a flashmemóriához hasonlóan képesek megőrizni az adatokat. Potenciálisan kis fogyasztásuk a jövőben saját áramforrás nélküli, indukciós elven működő áramkörökben való felhasználásra is ideálissá teszi őket, de várhatóan hagyományos készülékekben is visszaköszönnek majd.
A jelenlegi fejlesztések elsősorban a cellaméret csökkentésére és az átviteli sebesség növelésére irányulnak. A Toshiba 130 nm-es csíkszélességű CMOS eljárással készítette el 64 megabit kapacitású FeRAM chipjét, melyben hibakorrekciót (ECC) is megvalósítottak. A 0,7191 μm2 méretű cellák egy 87,5 mm2 alapterületű lapkát alkotnak.
Egy olvasás-írás ciklus ideje jelenleg 60 ns, a burst adatátviteli sebesség pedig eléri a 200 MB/s-os értéket. A gyorsulás részben az üzemfeszültség csökkentésének és a struktúrák miniatürizálásának köszönhető, ezáltal ugyanis kevesebb elektromágneses zaj keletkezik a lapkában. Az áramkör újszerű tervezése is hozzájárul a hatékonyabb működéshez: az aktív vezetékek között mindig egy kikapcsolt állapotban lévő vezeték szab határt a zaj terjedésének. A chip jelenleg 3,3, illetve 2,5 voltos tápfeszültséget igényel.
