Az idei év februárjában írtunk arról, hogy félvezetőgyártói kihozatal meghamisítása kapcsán vizsgálódik a Samsung. Bár a vállalat a helyzetet meglehetősen általánosan kommentálja, annyit mára lehet tudni, hogy a 4 nm-es eljárás felfuttatása csúszik. Ezzel párhuzamosan persze jó hír, hogy az 5 nm-es node kapcsán végre kedvezően alakul a kihozatal, de ez eleve a 7 nm-es eljárás half-node-ja.

A dél-koreai óriáscég kapcsán persze sokan a 3 nm-es, GAAFET tranzisztorstruktúrát bevezető eljárásra figyelnek, de információink szerint itt történt némi változás, ugyanis a 3GAE node eltűnt az útitervről, és ezzel ugrott az idei év közepére tervezett kísérleti gyártás megkezdése is. Valószínűleg a korábbi híresztelésekben lehet valami igazság, miszerint meghamisíthatták a 3 nm-es node esetében a kihozatalra vonatkozó eredményeket, bár a pontos részletek feltehetően sosem fognak kiderülni. Ha azonban egy adott node-on kifejezetten kedvezőtlen a kihozatali arány, akkor azt célszerű a háttérbe szorítani, és jelen esetben ez azt eredményezheti, hogy a Samsung már a 3GAP node-ra fókuszál, amely a GAAFET tranzisztorstruktúrájú eljárások között a második generációs opciónak számít.

Mindennek az az előnye, hogy a problémákra hatékonyabban reflektálhatnak, de lényeges hátrány, hogy a 3GAP node kísérleti gyártása semmiképpen sem indítható be idén.