Az IBM a héten több áttörést jelentett be, melyek egyhamar nem kerülnek felhasználásra, de mégis érdemes odafigyelni rájuk. A vállalat több éve dolgozik új generációs memóriák kifejlesztésén, és az egyik lehetséges alternatíva a racetrack-elv alkalmazása lehet, mely újfajta megközelítése a mágneses memóriáknak. Az IBM által prezentált racetrack memória még csak prototípus, de ez is áttörés, ugyanis az elméletet a vállalat átültette a gyakorlatba, ami hatalmas előrelépés.

A bemutatott lapkában 256 bit tárolása lehetséges, azaz 256 racetrack cellát alkalmaz, és egy nanoméretű permalloy (vas–nikkel ötvözet) vezetékből áll az egész. Lényegében az információk tárolására ez a vezeték használható fel. Ehhez nagyon gyors elektronikus impulzusokat kell küldeni a vezetékre, és az úgynevezett mágneses domének a spintronika eredményeinek felhasználásával foghatók be adattárolási egységekként. Az elemi részecskék belső impulzusmomentuma a mágneses térrel azonos vagy ellentétes irányú lehet, ami megfeleltethető a tranzisztor be- vagy kikapcsolt állapotának, vagyis tökéletes a technológia a bináris információk tárolására.

A működés persze csak az első lépcső, ugyanis nagy problémát jelent az elektromos impulzusok irányítása, valamint az adatok író- és olvasófejhez való pozicionálása a vezetéken. A 256 bit sem túl nagy kapacitás, így az IBM folyamatosan kísérletezik új anyagokkal, hogy minél több információ férjen el egy vezetéken. A vállalat szerint a racetrack memória százszor több adatot képes majd tárolni a mai memóriáknál – egységnyi helyigénnyel számolva. Emellett egy bit véletlenszerű elérési ideje 20-32 ns lenne, ami nagyon gyors. Ráadásul a flashmemóriáknál is tartósabb az új fejlesztés, hiszen több milliószor újraírható egy-egy racetrack cella.

Kétségtelen, hogy az IBM bejelentésében a racetrack memória viszi a pálmát, de nem szabad megfeledkezni, hogy a vállalat elkészítette az első CMOS kompatibilis grafénalapú chipet, mely a vezeték nélküli kommunikációt emelheti új szintre. A grafén használatával az integrált áramkör elérheti az 5 GHz-es órajelet, és akár 200°C-os hőmérsékleten is üzemképes. Bár az IBM szerint további tesztelésre van szükség a megbízható működés érdekében az eredmények biztatóak, így a grafénalapú integrált áramköröknek nagy hasznát lehet majd venni a magas hőmérsékletű környezetekben.

Végül, de nem utolsósorban az IBM elkészítette az első, 10 nm-nél is kisebb tranzisztort, mely szén nanocsőre épül. Utóbbi elem ígéretes jelölt a szilícium felváltására a jövő elektronikájában, ugyanis a szén nanocső, atomi szerkezetétől függően, lehet félvezető vagy vezető. A vállalat szerint az új tranzisztort felhasználva jobb teljesítményű lapkák építhetők a szilíciumalapú technológiákhoz viszonyítva. A gyártás persze nagy kérdés, így a technológia nagyon a jövő zenéje, de mindenképpen ígéretes alternatíva lehet.