A TSMC sajtóközlemény formájában kürtölte szét a világban, hogy hamarosan készen állnak a 28 nm-es gyártástechnológia bevezetésére. A cég a tőlük megszokott módon kétféle eljárást is kidolgozott a piac igényeinek megfelelően, sőt ezúttal egy harmadik is elérhetővé válik. A 28LP az eddig alkalmazott szilícium-oxi-nitridet (SiON) használja fel, és olyan alacsony energiaigényű, fogyasztású termékek gyártására használható, amelyeket leginkább a hordozható eszközökben, például mobiltelefonokban alkalmaznak. A tényleges gyártás a tervek szerint 2010. első negyedévében kezdődhet meg. A 28HP esetében már High-k Metal Gate (HKMG) technológiát alkalmaztak, amely nagy teljesítményű eszközök, központi vagy grafikus processzorok, illetve chipsetek és játékkonzolok alkatrészeinek elkészítésére alkalmas. A gyártás egy negyedévvel később indul majd be, mint a 28LP esetében.
A cég egy harmadik gyártástechnológiai módszeren is dolgozik, amely a 28HPL kódnevet kapta. Ez szintén High-k Metal Gate tranzisztorokat használ fel, de igyekeztek visszaszorítani az energiaigényt, ezáltal a fogyasztást is. A módszer a 28HP-hez képest szerényebb teljesítményű termékek elkészítésére alkalmas, ilyenek az SoC platformok, a netbookok, hordozható szórakoztató elektronikai cikkek vagy a vezeték nélküli hálózatot biztosító termékek alkatrészei. A 28HPL kerül a legkésőbb bevezetésre, a gyártás leghamarabb 2010. harmadik negyedévében indulhat be. A TSMC mindhárom eljárással készített már 64 megabites SRAM lapkákat, amelyek állításuk szerint kiemelkedően jó selejtaránnyal rendelkeznek. Remélhetőleg ezúttal a tényleges gyártás nem ütközik olyan problémákba, mint a 40 nanométeres csíkszélesség esetében.
