Az ISSCC konferencián hozta nyilvánosságra a Samsung azt a tanulmányát, amelyben a 4-GBit-es DDR SDRAM chipek előállítását vázolja. A majdan 10 mikronos eljárással készülő DDR RAM-ok 4,29 milliárd cellából épülnének fel, az adatintegritást pedig mindössze 1,8V-os feszültség biztosítaná.

A hasonlóan nagy kapacitású SDRAM-ok megvalósíthatóságát eddig olyan tényezők hátráltatták, mint többek közt a nem megfelelő jelerősség, azonban a Samsung ígérete és a technológiához kapcsolódó 160 szabadalom szerint ezen sikerült úrrá lenni.

Bár konkrét termékekről még nem esett szó, de mert a Samsung az egyik legnagyobb DRAM gyártó, sokáig feltehetően nem halogatja majd ezt sem, bár az ekkora chipek gyártása még korántsem szériaérett.

1-GBit-es chipet egyébként már a két évvel ezelőtti ISSCC-re kihozott az Infineon, a fejlődés tehát töretlen.