Immár a Samsung is beletartozik a félvezetőgyártók azon elit csoportjába, akik 20 nanométeres gyártástechnológiával képesek processzort előállítani. A múlt hét folyamán partnereivel együttműködve High-K dielektrikumú fém alapú kapuelektródákat alkalmazva, második generációs gate-last technológiával készítette el az első szilícium ostyát. Rajta ARM Cortex-M0 processzormagból, ARM Artisan modulokból (12-track nagy teljesítményű és 9-track nagy sűrűségű egyaránt), egyedi memóriából, illetve tesztelő struktúrából álló lapkák sorakoztak. Az ilyen chipeket nem gyakorlati felhasználásra, hanem tesztelési céllal készítik, hogy minél több részletet megtudjanak a gyártástechnológiáról.

„Ahogyan egyre több funkció költözik egyetlen eszközbe, a SoC tervezőknek egyre fejlettebb gyártástechnológiai szolgáltatásokra van szüksége. Most egy jelentős mérföldkőhöz érkeztünk nem csak a gyártás, hanem a hozzá nélkülözhetetlen tervezés területén is. A partnereinkkel együttműködve bemutatott új, 20 nanométeres tervezési és gyártási rendszernek köszönhetően partnereink még gyorsabban és hatékonyabban juttathatják piacra új termékeiket” mondta Kyu-Myung Choi a Samsung Electronics LSI gyártási infrastruktúrákért felelős divíziójának alelnöke.