Hirdetés

2012. május 30., szerda

Hozzászólások

(#1) S-eye


S-eye
(tag)

Nagyon jó!Jöhetnek az új technológiák,amivel talán egyszer lesz olcsó SSD. :U
De mi van a ReRAM-mal?Arról mostanában nem is hallani

// SDG //

(#2) Badman 4ever


Badman 4ever
(őstag)
LOGOUT blog

Minden szempontból tökéletes: gyors, megbízható (vs. NAND Flash vagy PRAM) és gondolom keveset is fog fogyasztani. :)

(#3) shabbarulez


shabbarulez
(őstag)

"Mindenesetre a súlyos gyártástechnológiai gondokkal küszködő flashmemóriákban már nagyon kevés fejlesztési potenciál van..."

Ez messze nem igaz. Az elmúlt évtized során igen sok innovatív fejlesztés demóztak már a NAND gyártók és ezek a fejlesztések idővel be is fognak érni. Floating gate helyett charged trapping, 2D planar felépítés helyett 3D NAND. 2-4 év távlatában ezek piacra is kerülhetnek és messze előrehaladottabb állapotban vannak, mint a többi NAND-ot leváltani próbáló technológiák.

Nem szabad elfelejteni hogy a NAND piac egy évi 20 milliárd dolláros piac. Értelemszerűen az ezt birtokló NAND gyártók nem szeretnék csak úgy feladni ezt az igen nagy piacot és komolyan fejlesztettek annak érdekében az elmúlt évtizedben hogy a pozícióikat meg is tartsák.

(#4) GribMate válasza Badman 4ever (#2) üzenetére


GribMate
(fanatikus tag)
LOGOUT blog

és gondolom keveset is fog fogyasztani

Vagy mégse:
"...requires a fairly substantial current to generate the field, however, which makes it less interesting for low-power uses, one of MRAM's primary disadvantages."
Egyik nagy hátránya, hogy sokat fogyaszt(hat), de ki tudja mit hoznak ki belőle néhány év alatt :D

░▒▓GM▓▒░ - You don't get what you deserve. You get what you get.

(#5) Alchemist válasza shabbarulez (#3) üzenetére


Alchemist
(senior tag)

De az újraírhatóság száma inkább csökken, pedig nőnie kéne.

Éppen olvasok egy érdekes könyvet az antigravitációról... képtelen vagyok lerakni.

(#6) G.I.JOE


G.I.JOE
(senior tag)
LOGOUT blog

Lettem volna Grandis tulaj ..

Eladó cuccaim: http://href.hu/x/h62i

(#7) Badman 4ever válasza Alchemist (#5) üzenetére


Badman 4ever
(őstag)
LOGOUT blog

Szerintem is ezért jobb az MRAM...
Emellett a lapkák/chipek élettartama (azaz hogy mennyi írási ciklust viselnek el) csökkent. Az 50 nm-es MLC NAND lapkák még durván 10 000 írási ciklust viseltek el. Ez a szám 34 nm-en a felére, nagyjából 5000 környékére esett, míg 25 nm-en az érték már csak 3000 körüli. - OCZ Vertex 3 SSD - SandForce újratöltve

Ehhez képest az MRAM végtelen újraírhatósága megváltás, nem kell nagyméretű tartalék tárhelyeket fenntartani, bonyolultabbnál bonyolultabb hibajavító áramköröket tervezni és szoftveres hibajavító algoritmusokat alkalmazni (RAISE, ECC, Wear Leveling - Az ilyen szélsőséges eseteknek két komoly hátulütője van, egyrészt az "overhead", az adatok háttérben való folyamatos mozgatása lassít(hat)ja magának az SSD-nek a működését, másrészt a cellák védelméért munkálkodó wear leveling egyúttal tulajdonképpen csökkenti a cellák élettartamát, de erről nem tehet, egyszerűen így működik az algoritmus. - Átfogó elemzés az SSD-k természetéről). Ha ezeket elhagyjuk, sokat lehet az előállításon spórolni, így a termék ára is jobb lehet és a megbízhatóság, illetve élettartam brutálisan megnő.

[ Szerkesztve ]

(#8) shabbarulez válasza Alchemist (#5) üzenetére


shabbarulez
(őstag)

Pont ennek javítására szolgál az általam előbb említett két technológia. Azonos nm mellett egy charge trap megoldás tartósabb újraírhatóságot biztosít mint a floating gate megoldás. Egy 10-20nm-es 2D planar NAND helyett 3D NAND esetén 50-60nm-en el lehet érni azonos vagy jobb bitsűrűséget, értelemszerűen a nagyobb gyártástechnológia mellett az újraírhatóság is visszaáll. Sőt ma már rendelkezésre állnak olyan adatkiolvasás javító technológiák, amiket anno a 2D planar 60nm mellett nem is használtak. 3D NAND és charge trap házasításával pedig ezen előnyök összeadhatók.

Az általad írt probléma csak akkor áll fenn, ha továbbra is maradnának a gyártók a floating gate mellett és tovább csökkentenék a nm-eket. Ez viszont nem céljuk a gyártóknak, pont ezért fejlesztettek az elmúlt évtizedben olyan technológiákat, amelyekkel a NAND fejlődése más megoldásokkal továbbiakban is fenntartható.

(#9) shabbarulez válasza Badman 4ever (#7) üzenetére


shabbarulez
(őstag)

Ahogy az SRAM / DRAM / NAND / HDD között is megvannak a $/GB arányok, amik behatárolják a gazdaságos felhasználhatóságukat, úgy ez a nem felejtő SRAM vagy DRAM utódoknál sem igen lesz másként. A PCM vagy az STT-RAM inkább nem felejtő DRAM utód lesz majd, nem pedig SSD-ben NAND helyettesítő, ahogy az MRAM-ot is nem felejtő SRAM alternatívaként használják.

Mindegyik technológiának megvan az a célterülete, azok a minőségi követelmények ahova fejlesztik és ennek elérése érdekében másból engedni kell hogy a célok elérhetők legyenek. Így aztán olyan univerzális nem felejtő memória ami az MRAM gyorsaságával és újraírhatóságával bír, de a $/GB arány a HDD-vel vetekszik erősen utópia, hisz az egyes minőségi elvárások erősen kizárásosan ütik egymást.

PCM-ből pár éven belül lehet majd DRAM helyettesítő, nem felejtő memória alternatívát csinálni mobilokba(sőt már most is van ilyen kereskedelmi forgalomba kapható készülék, de nem messze nem széleskörűen elterjed). 5 év múlva high end üzleti adattárolódnál már megérheti SSD-ket készíteni belőle, de nem a NAND-os SSD-k lecserélésére, ha nem egy további adattárolási rétegként a DRAM és az SSD közé, mint nagy sebességű, byte szinten címezhető SDD. Egy évtized múlva meg elérheti az a $/GB arány, amit a mai NAND flash produkál és így tömeg termékek is épülhetnek rá, de ott is inkább egy DRAM és NAND SSD közötti űrt betöltő felhasználás dominálhat, hisz a NAND-os SSD-k akkor már sokkal jobb $/GB arány fognak kínálni. Hasonlóan ahogy egy évtized múlva egy HDD is arányaiban ugyanúgy jobb $/GB arány fog kínálni az akkori NAND-os SSD-kel szemben mint ahogy ma is teszi.

Végtelen újraírhatóság meg nem igazán létezik, mindegyik technológiának van véges újraírhatósága.

(#10) hcl


hcl
(PH! addikt)
LOGOUT blog

Mágneses elven működő memóriák?
Mintha már lett volna ilyen, ferromágneses ellven :U
Csak az kicsit lassabb és nagyobb volt :D

Galériám : http://kilatas.webuda.com/ ------ Vennék hibás LCD monitorokat ------ Ha privátot írsz, és én válaszolok, vedd már a fáradtságot, hogy visszaírj...

(#11) Duracellm... válasza hcl (#10) üzenetére


Duracellm...
(őstag)

Nekem is a ferritgyűrűs mátrixot "izé" ugrott be, szerintem ez csak olvasni lesz gyors, írni kell hozzá rendesen áram/idő.

Az élet értelme:42 igen. Csupa páros szám, nem véletlenül:)

(#12) hcl válasza Duracellm... (#11) üzenetére


hcl
(PH! addikt)
LOGOUT blog

Nem biztos, lássuk, mit tudnak a fejlesztők...

Galériám : http://kilatas.webuda.com/ ------ Vennék hibás LCD monitorokat ------ Ha privátot írsz, és én válaszolok, vedd már a fáradtságot, hogy visszaírj...

(#13) Duliee válasza Badman 4ever (#7) üzenetére


Duliee
(őstag)
LOGOUT blog

CSak ez nem érdeke egyik gyártónak se, addig amíg eladják a cuccokat így ahogy vannak :)

Eladó: E8400 BOX |Gyári intel i5/i7 rézmagos hűtő /1155/ <> Hirdetéseim: http://tinyurl.com/cspez8d

Copyright © 2000-2012 PROHARDVER Informatikai Kft.