A Samsung után a Hynix is bejelentette, hogy elkészült a 8 gigabites LPDDR4 szabványú memóriájuk prototípusa, mely a konkurens céghez hasonlóan 20 nm-es osztályú node-ról került le. Bár a bejelentés miatt az utóbbi vállalat lemaradt az iparági elsőségről, de annyiban megelőzik a Samsungot, hogy már leszállították az érdeklődőknek az első termékmintákat, így ha papíron nem is, de a gyakorlatban előrébb tartanak. Ez persze többnyire lényegtelen, hiszen a két vállalat szinte azonos útitervet követ, vagyis majdnem napra pontosan azonos időben érik el a fejlesztés fontosabb állomásait.
A Hynix memóriája egyébként a Samsung megoldásához hasonlóan 3200 MHz-es effektív órajelen üzemel, ami kétszer 32 bites csatorna mellett 25,6 GB/s-os memória-sávszélességet biztosít. Ennek köszönhetően 50%-kal jobb teljesítményt kínál a leggyorsabb LPDDR3-hoz viszonyítva, emellett az 1,1 V-os üzemfeszültségnek hála 40%-kal kevesebb energia felhasználásával működtethető. Ezzel gyakorlatilag a két konkurens megoldás főbb paraméterei megegyeznek.
A Hynix szerint a tömeggyártás az év második felében kezdődik meg, és az év végén már elképzelhető, hogy lesz olyan csúcskategóriás ultramobil eszköz, ami LPDDR4 memóriát használ.
