A Toshiba és a SanDisk pont a mai napon jelentette be, hogy elkészültek egy V-NAND memória termékmintájával, míg most az Intel és a Micron is beszélt a saját fejlesztésű V-NAND koncepcióról, amely várhatóan a következő év első felében lehet elérhető. Látható, hogy az említett négy cég összefogással lohol a Samsung után, amely vállalat már másfél éve kínál V-NAND-ot.
Az Intel és a Micron koncepciójának érdekessége, hogy a két cég úgy döntött nem vezetik be a töltéscsapdát, amire a Samsung, illetve a Toshiba és SanDisk páros épít, hanem maradnak a mai NAND megoldásaiknál alkalmazott lebegőkapus megközelítésnél. Az Intel és a Micron nyilván nem tagadja a töltéscsapda előnyeit, hiszen számottevően csökkenti az egymás melletti cellák közötti interferenciát, ugyanakkor a két vállalat úgy gondolja, hogy az is előnynek számít, ha egy ismert technológiára építenek, így a fejlesztés kevésbé kockázatos. Mindemellett valószínűleg a gyártás is költséghatékonyabb lehet, mivel a lebegőkapus megközelítésről már rengeteg tapasztalatot gyűjtöttek az elmúlt években.
Az Intel és a Micron V-NAND memóriája 32 cellaréteget használ, továbbá lesz egy TLC-s és egy MLC-s verzió. Előbbi 384, míg utóbbi 256 gigabites kapacitást kínál. Ezeket a termékmintákat hamarosan elkezdik szállítani az érdeklődőknek.
