A V-NAND memória manapság nem számít újdonságnak a flash lapkák piacán, hiszen a Samsung már majdnem két és fél éve kínál V-NAND-ot, és persze a céget követte a Hynix, illetve a Toshiba és a SanDisk duója.
Tulajdonképpen a Micron és az Intel párosa ebben a kategóriában az utolsó, de van pár dolog, amit másképp csinálnak, mint a fentebb említett konkurensek. Egyrészt úgy döntöttek, hogy a többiekkel ellentétben nem vezetik be a töltéscsapdát, hanem maradnak a mai NAND megoldásaiknál alkalmazott lebegőkapus megközelítésnél. Azt tudni kell, hogy mindkét megközelítésnek vannak előnyei és hátrányai. A töltéscsapda például számottevően csökkenti az egymás melletti cellák közötti interferenciát, ugyanakkor ez egy újszerű technológia, tehát a gyártása még nem olyan könnyű. A lebegőkapus megközelítésről sokkal több tapasztalat halmozódott fel az elmúlt évek során, ami végeredményben költséghatékonyabbá teheti a gyártást. A Micron szerint a saját megoldásuk az írásra vonatkozó terhelhetőség szempontjából valóban nem lesz a legjobb, ugyanakkor előnyben lesznek az adatmegőrzési idő tekintetében. A számokat sajnos még nem lehet tudni, de remélhetőleg hamarosan a tényleges értékek is kiderülnek.
Az Intel és a Micron V-NAND memóriája 32 cellaréteget használ, továbbá lesz egy 384 gigabites TLC-s és egy 256 gigabites MLC-s verzió. Mindkét lapka négy részre lesz particionálva, ami például a kisebb kapacitású meghajtók esetében sebességelőnyt jelent a mai, jellemzően két partícióra osztott V-NAND lapkákhoz képest. Ezt a Micron úgy tudja elérni, hogy a CMOS áramkör a memóriatömb alatt helyezkedik el, így tulajdonképpen a vezérléshez szükséges logika háromnegyede a flashmemória alá kerül, vagyis utóbbi nagyon könnyen felosztható, ami végeredményben jobb lapkánkénti párhuzamosságot kínál.
A Micron szerint először a 256 gigabites MLC V-NAND megoldásuk ékezik, majd ezt követi nem sokkal később a 384 gigabites TLC opció. A vállalat és az aktuális partnerek mindkét lapkára kínálnak majd kész termékeket, természetesen még idén.
