A Hynix bejelentette, hogy üzemképessé vált a régóta fejlesztett 20 nm-es osztályú gyártástechnológiájuk, amelynek bevezetésével voltak ugyan problémák, de végül ezeket sikerült megoldani. Ezzel a Hynix a második memóriagyártó a piacon, amely képes volt lemenni a 20 nm-es osztályú szintre, igaz ezt másfél évvel a Samsung után tették meg.

A vállalat az első, új node-on gyártott DRAM lapkák mintáit már szállítja és nagyon hamar beindul a tömeggyártás is.

A Hynix a V-NAND szempontjából is erősít. A vállalat a nyáron jelentette be a 36 cellaréteget használó megoldását, amely a tömeggyártás ellenére relatíve kis mennyiségben volt elérhető, de az év végén ez a mennyiség nőni fog. Ennél is fontosabb, hogy érkezik a 48 cellaréteget kínáló verzió, amely valószínűleg már 256 gigabites kapacitással rendelkezik.

Meg kell jegyezni, hogy a modernizált V-NAND-ot a Hynix az idei évre ígérte, de sajnos úgy néz ki, hogy ezt a tervet nem sikerül tartani, így a bevezetés a következő esztendő elejére csúszik.