A Micron a DRAM-piacon nincs irigylésre méltó helyzetben, mivel a vállalat alaposan lemaradt a Samsung mögött a 20 nm-es osztályú node-ra épülő fejlesztések tekintetében. Amíg a Samsung már nagyjából egy éve kínál ilyen memóriákat, addig a Micron a kísérleti gyártást csak az elmúlt év végén kezdte meg, amit persze követett a tömeggyártás, de a vállalat eladásainak nagy részét még mindig számos 25 és 30 nm-es DRAM lapkák teszik ki.
A Micron nem tagadja, hogy a 20 nm-es osztályú memóriák szempontjából csatát vesztettek a DRAM-piacon, ami rányomja a bélyeget a vállalat eredményire is, de a jelenlegi tervek alapján 16 nm-en már megkezdődik a felzárkózás. A Micron szerint az új node-ra való átállást felgyorsítják, így reményeik szerint nem sokkal a Samsung technológiája után be fogják vezetni. A kísérleti gyártás valamikor a következő esztendő első negyedévének a végén kezdődhet meg. Ezzel szemben a Samsung a jelenlegi tervek szerint az év elejét célozza meg. A Micron 16 nm-es gyártástechnológiája egyébként már a korábban felvásárolt Elpida kooperációjával valósul meg.
A Micron szerint az igazán fontos lépcső a 10 nm-es osztály lesz, amely a vállalat szerint a Samsung megoldásánál jobb lesz, legalábbis a Samsung 10 nm-es osztályú node-jának előzetes mintáit figyelembe véve. Valószínűleg a Micron szeretne áttérni a 4F² cellastruktúrára, amely négyzetmilliméterenként több bitnyi információ tárolását teszi lehetővé. Ezzel lényegében kisebb lapkamérettel lehet nagy kapacitású DRAM lapkát kínálni. Utóbbi fontosabb, mint maga a csíkszélességváltás, mivel sokkal többet lehet vele nyerni.
