Három évvel az első példányok elkészülte után, újabb Ferro Electric RAM-ot leplezett le a Toshiba. A működési elv hasonló a számítástechnika kezdeti korszakában használt ferritgyűrűs memóriákéhoz, ez esetben viszont jóval kisebb, energiatakarékosabb és természetesen gyorsabb megoldásról van szó.
FeRAM – nem felejt
Legelőnyösebb tulajdonsága, hogy az adatok megtartásához nincs szüksége külső áramforrásra, mivel a cellákban lévő információkat egy ferroelektromos réteg tárolja. Ez a képessége a flashmemóriákhoz teszi hasonlóvá a FeRAM-ot, sebessége viszont a napjainkban is használatos DRAM memóriákkal egyenértékű.
A most bemutatott, DDR2 interfésszel rendelkező tesztpéldány 128 megabites, írási és olvasási csúcssebessége egyaránt 1,6 gigabit/s-os. Az NEC közreműködésével kifejlesztett memórialapka – javított architektúrájának köszönhetően – megtartotta elődjének kedvező elektromágneses tulajdonságait, melyek segítenek meggátolni a jel romlását. A chip 130 nm-es gyártástechnológiával készült, működéséhez 1,8 V-os feszültség szükséges, ciklusideje 83 ns, elérési ideje pedig 43 ns.
