Új hozzászólás Aktív témák

• #36 dezz nagyúr rtom #23

  Új Válasz 2010-04-27 00:28:05 #36

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  dezz

  nagyúr

  válasz rtom #23 üzenetére

  Itt ezt írják:

  "Although PRAM has not yet reached the commercialization stage for consumer electronic devices, nearly all prototype devices make use of a chalcogenide alloy of germanium, antimony and tellurium (GeSbTe) called GST. The stoichiometry or Ge:Sb:Te element ratio is 2:2:5. When GST is heated to a high temperature (over 600°C), its chalcogenide crystallinity is lost. Once cooled, it is frozen into an amorphous glass-like state and its electrical resistance is high. By heating the chalcogenide to a temperature above its crystallization point, but below the melting point, it will transform into a crystalline state with a much lower resistance. The time to complete this phase transition is temperature-dependent. Cooler portions of the chalcogenide take longer to crystallize, and overheated portions may be remelted."

  (Ha jól értem, nincs is benne Si, csak "üvegszerű".)

  Devid_81: Én sem hallottam még a kifejezést, de nem annyira fájt valami újat tanulni...

Új hozzászólás Aktív témák