Új hozzászólás Aktív témák

• #85175 aujjobba addikt aujjobba #85057

  Új Válasz 2022-08-29 21:07:47 #85175

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  aujjobba

  addikt

  válasz aujjobba #85057 üzenetére

  Megöltem sikeresen a gate meghajtó IC-t, építettem helyette egy push-pull meghajtót két NPN és két PNP tranzisztorral (level shift -> emitter követő push-pull).
  Namost ezzel az IC által produkált 32ns rise-time és fall-time helyett csak 100ns-t sikerült elérni, miközben 90 celsiusra is sikerül felfűteni az irf510-et (borda nélkül).

  Vannak technikák a gyorsabb átmenetek elérésére?
  Láttam megoldható a push-pull FET-ekkel is BJT helyett, de egyelőre nincs itthon P-FET hogy kipróbálnám.
  Egyébként az elért hullámforma a gáton szerintem rendben van, gondolom a hosszabb átmenetek miatt melegszik a FET.
  Jól gondolom?
  
  

• #85066 ekkold Topikgazda aujjobba #85057

  Új Válasz 2022-08-25 10:26:20 #85066

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  ekkold

  Topikgazda

  válasz aujjobba #85057 üzenetére

  Igen, ez teljesen elfogadható.

Új hozzászólás Aktív témák