Az EE Times értesülése szerint az AMD megvásárolta az Innovative Silicon Z-RAM (Zero capacitor RAM) technológiájának licencét. Ezzel az egyszerű felépítésű, kondenzátorok nélküli megoldással energiatakarékos és igen kis helyigényű memóriacellák hozhatók létre SOI (silicon on insulator) eljárással gyártott szilíciumchipeken: a beágyazott DRAM (Dynamic RAM) cellasűrűségének kétszerese, illetve a processzorok gyorsítótáraként előszeretettel alkalmazott SRAM (Static RAM) sűrűségének ötszöröse érhető el segítségével.
Manapság, amikor a processzormag területének jelentős részét gyorsítótárak teszik ki, a Z-RAM jelentősen hozzájárulhat a magméret csökkenéséhez, ezáltal a gyártási költségek mérséklődéséhez, illetve azonos méret mellett a cache-ek további növeléséhez. Az AMD hároméves útitervében egyébként 2007-es dátummal szerepelnek megosztott harmadszintű gyorsítótárral ellátott processzorok, így nem kizárt, hogy a mostani újítás már ezek előkészítéseként értékelhető.
Minthogy az Innovative Silicon technológiájának előfeltétele a SOI kialakítás, a Z-RAM alkalmazása újabb markáns különbséget jelenthet az AMD és az Intel között, a legnagyobb chipgyártó ugyanis jelenleg nem alkalmazza ezt az eljárást processzoraiban. Az AMD-nek most először tesztelnie kell, milyen hatékonysággal építhető be az új technológia processzoraiba. A vizsgálatokat Drezdában elvégzik a 90 nm-es és 65 nm-es csíkszélességgel dolgozó gyártósorokon is, ennek során felmérik a Z-RAM skálázhatóságát is – ezután döntenek csak a bevezetésről, illetve annak majdani időpontjáról. Az Innovative Silicon – épp a Z-RAM cellák felépítésének egyszerűsége miatt – mindenesetre optimistának mutatkozik, 2012-ig szeretnék elérni a 40 nm-nél kisebb csíkszélességet, de további tartalékok is rejlenek a megoldásban.
