A héten lezajlott a Semicon China konferencia, ahol a kínai bárgyártónak számító SMIC bejelentette, hogy jövőre rendelkezni fognak 28 nm-es gyártástechnológiával. Korábban a vállalat licencelt technológiákat, így a 40 és 45 nm-es node-on az IBM megoldására építettek. Arról sajnos nincs információ, hogy a 28 nm-t licencelték-e, vagy esetleg teljesen önállóan fejlesztették.
Az SMIC két 28 nm-es node-ot kínál majd. Elsőként a High-K dielektrikumú fém alapú kapuelektródákat alkalmazó megoldás készül el, mely a Replacement Metal-Gate, azaz a gate last megvalósításra épít. A fejlesztést a vállalat várhatóan idén júniusban fejezi be, és ezután megkezdődhet a kvalifikálási procedúra. Ha minden jól megy, akkor a node a következő év augusztusától már gyártásra is alkalmas lesz, így 2013-tól Kínának is lesz 28 nm-es gyártástechnológiája. A vállalat elmondta, hogy a SiON/poly-Si megvalósítást sem vetik el, de ennek a fejlesztése pár hónappal később ér révbe.
(forrás: ElectroIQ) [+]
A 28 nm egyébként csak a kezdett, ugyanis az SMIC már dolgozik a 22 és 20 nm-es node-okon, de ezekről még nem beszélnek bővebben. A kínai bárgyártó teljesítménye egyébként figyelemre méltó. A cég viszonylag fiatalnak számít a konkurensekhez mérten, de a technológiai lemaradásuk nagyjából fél év az UMC-hez viszonyítva, ami azt jelzi, hogy a SMIC félelmetes ütemben fejleszt. Ez Kínának komoly szempont is, hiszen az extrém ütemben fejlődő ország a bérgyártás területén is az élre szeretne kerülni. Ehhez persze még sok év szükséges, de a legjobb úton haladnak a cél elérése felé.
