Hirdetés
A The Elec riportja szerint az SK Hynix még idén megkezdi a következő generációs, 375 cellarétegű 3D NAND flash lapkájának tömeggyártását. A vállalat a fejlesztést eredetileg 400 réteg körüli NAND-ként emlegette az útitervben, de az említett cellarétegben véglegesítették a dizájnt, a kapcsolódó stackelési eljárások nehézségei miatt.
A rendszer kialakításában újítás lesz, hogy az SK Hynix a fémkapu-elektródákban alkalmazott volfrám egy részét molibdénre cseréli. Utóbbira azért volt szükség, mert magas rétegszámú struktúrában a volfrám korlátokba fut, ugyanis a vezetékek egyre vékonyabbá válnak, ami növeli volfrám a elektromos ellenállását, lassuló jelátvitelt eredményezve. A molibdén ezt a gondot direkten kezeli
Az SK Hynix a jövőre is koncentrál, így az útitervben már szerepelnek 480 és 604 cellarétegű 3D NAND flash megoldások, de ezek csak később érkezhetnek.
