Hirdetés
A Samsung a hónap elején megtartott SAFE fórumon bejelentette a harmadik generációs 2 nm-es GAAFET node-jának érkezését, amely az SF2P+ jelzést viseli. A vállalat a 2 nm-es csíkszélességen nem kezdett túl jól, mivel az eredeti, SF2 jelzésű node igen rossz kihozatali arányt produkált, de az idén tömeggyártásba kerülő, második generációs SF2P már sokat javult ebből a szempontból, sőt, az első generációs verzióhoz viszonyítva 12%-kal jobb teljesítményt kínál 25%-kal kedvezőbb fogyasztás mellett, miközben ugyanazt a lapkát 8%-kal kisebb kiterjedéssel lehet rá implementálni.
Az SF2P+ még ennél is jobb alternatívának számít majd, a tömeggyártása pedig a következő év második felében lehet esedékes. A Samsung elsődlegesen arra fókuszál, hogy a két érkező 2 nm-es node-ot optimalizálják, és tegyék kifejezetten előnyössé az érdeklődők számára.
A vállalat egy SF4U nevű 4 nm-es eljárást is tervez, amely még a régebbi FinFET tranzisztorstruktúrát használja, viszont a meglévő 4 nm-es opciókhoz viszonyítva jobb energiahatékonyságot kínál. Ezzel a node-dal a cég kifejezetten az autóipart célozza, de bárhova használható, ahol számottevő előnyt jelentenek a rendkívül jó teljesítmény-fogyasztás arányú, relatíve megfizethető beágyazott rendszerek.
