Hirdetés

Új szintre emeli a memóriatokozási technológiáját a Samsung

A korábbi maximum 8 helyett már 12 memórialapkát is képes a cég egymásra építeni.

A memóriák tekintetében a legjobb fogyasztás/teljesítmény mutatót egyértelműen az egymásra tokozott megoldások tudják felmutatni, és ezen a területen a Samsung igen erős portfólióval rendelkezik, hiszen olyan HBM memóriát is kínálnak, amely nyolc egymásra tokozott lapkát alkalmaz, az adatátviteli sebessége pedig 400 GB/s fölött van. Ezt a tempót alternatív módon csak hatványozottan nagyobb energiaigény mellett lehet hozni, ami egy bizonyos szint fölött nem éri meg.

Hirdetés

A tokozási technológiák tekintetében azonban a Samsung szerint még van hova fejlődni, így bemutatták az iparág első olyan megoldását, amely 8 helyett már 12 memórialapkával is elbánik. Ehhez a chipek hatvanezernél is több TSV (through-silicon VIA – Vertical Interconnect Access) lyukat tartalmaznak, így érhetők el a vertikálisan egymásra tokozott memóriák.

A lapkák számának vertikálisan történő növelése a kapacitásra is jó hatással van, ugyanis 12 memóriával 24 GB-os tömb is kiépíthető, ami a HPC-piacon, illetve professzionális szinten igen hasznos, mert az itt futtatott alkalmazások jellemzően sok memóriát igényelnek.

Az egész tömb vastagsága egyébként 720 µm, ami azért nagy eredmény, mert hozzávetőleg ilyen vastag nyolc darab, egymásra tokozott memória is, az előző generációs technológiát alkalmazva.

A Samsung egyelőre még csak bejelentette a fejlesztést, de valószínűleg már várják az érdeklődők jelentkezését, amely cégek majd megkezdhetik a minták kiszállítását.

Hirdetés

Előzmények

Hirdetés