Hirdetés

Felvázolta a memóriajövőt a Samsung

A vállalat zHBM és zNAND-O nevű koncepciókkal készül.

A Samsung az éppen zajló FMS 2026 rendezvény alkalmából felvázolt egy általános jövőképet arról, hogy mire lehet majd számítani a későbbiekben a memóriák frontján. Ezek egy része koncepció, vagyis nem feltétlenül van mögöttük valóban működő termék, inkább egyfajta iránymutatás, hogy merre lehetne fejlődni a látható korlátokat figyelembe véve.

Hirdetés

Érdemes előbb azokkal a fejlesztésekkel kezdeni, amelyek közel járnak a tényleges megvalósításhoz, vagyis szinte biztos, hogy lesz belőlük létező hardver. Ilyen a HBM4E, a HBM5, illetve az LPDDR5X-PIM. Utóbbi számít igazán érdekesnek, mivel számításokat végző memóriáról van szó, ami az AI-piac szempontjából hasznos lehet.

Az említett memóriákból leghamarabb a HBM4E érkezik, ennek a mintáit már tavasszal megkapták a partnerek. is eljuttatta partnereihez.

A koncepciót képviselő újdonságok szempontjából a legérdekesebb a zHBM, amely szakít a jelenlegi HBM architektúrával. A mai megoldásoknál a HBM memóriák a tokozáson található lapka mellett egy interposeren helyezkednek el, viszont a Samsung elképzelése szerint a zHBM memória közvetlenül a feldolgozókkal rendelkező lapkára kerülne. A lényeg a jelutak lerövidítése, ami nagyobb sávszélességet, alacsonyabb fogyasztást, valamint kedvezőbb késleltetést eredményezhet.

A vállalat szerint a következő generációs interfésszel kombinált zHBM akár nyolcszoros teljesítményt is kínálhat a HBM5-höz viszonyítva, miközben a memóriasűrűség legalább tízszeresére nőhet, míg az energiahatékonyság háromszorosára javulhat. A zHBM másik érdekessége, hogy lehetőséget biztosít ügyfélspecifikus logikai blokkok integrálására a memória és a gyorsító közötti rétegben, ami a jövőben adott feladatra szabott AI gyorsítók fejlesztését szolgálhatja. Persze fontos figyelembe venni, hogy ezek még tervek, tehát a tényleges termék az bőven változhat.

A Samsung a fentieken túl bemutatta a zNAND-O koncepciót is, amely egy V-NAND technológiára épülő, kis késleltetésű NAND flashmemória. A négy- és nyolcrétegű kivitelben készülő fejlesztés elsősorban peremhálózati AI rendszerek számára készül, ahol a valós idejű adatfeldolgozás jelentős szerepet játszik.

A dél-koreai vállalat szerint az AI rendszerek fejlődésének következő lépcsője a processzor és a memória fizikai integrációjának erősítése, és alapvetően a zHBM is erre fókuszál, de rövidebb távon biztosan nem lesz belőle valós termék.

Előzmények

Pattanásig feszíti a munkamorált a Samsung bónuszrendszere

A memóriarészleg szárnyalása komoly dilemmákat okoz a cégen belül.

Kolosszális beruházási tervvel hagyná le a világot Dél-Korea

Az SK Hynix és a Samsung a következő tíz évben összesen 1350 billió wont fektetne be a chipgyártásba.

Szállítja a HBM4E mintáit a Samsung és az SK Hynix

Mindkét vállalat nagyon hasonló dizájnt tervezett, a különbségek az apró részletekben rejlenek.

Hét évet kapott a Samsung korábbi, Kínának kémkedő mérnöke

A CXMT memóriagyártásához nagymértékben hozzájárulhattak a dél-koreai cégtől ellopott technológiák.