A Samsung frissítette bérgyártásra vonatkozó útitervét, amely alapján a cég a gyártástechnológiák gyors bevezetésére törekszik. A vállalatnál számos új node kerül bevezetésre az elkövetkező hónapokban, amelyek kiegészítik a legmodernebb 14 nm-es LPE és LPP opciókat.
Elsőként megjegyzendő, hogy érkezik egy 14 nm-es LPC node, amely egy olyan alternatíva lesz, ami relatíve olcsón kínál modern alapot a rádiófrekvenciás analóg megoldásokhoz. Szintén ezt a területet célozza meg az FD-SOI struktúrájú 28 nm-es FDS node. Utóbbi a Common Platform részeként az STMicroelectronics technológiájára épít, és viszonylag nagy igény van erre a node-ra az IoT-piac növekedése miatt. Nem véletlen, hogy a GlobalFoundries is hasonlóan komoly ajánlattal csábítja az ultramobil chipfejlesztőket. A különböző speciális igények következtében a Samsung 28 nm-es FDS node-ja támogatja a beágyazott nem felejtő flashmemóriákat is, így könnyen implementálhatók különféle ROM-ok az adott lapkába.
A hosszabb távú jövőt tekintve még idén érkezik az első 10 nm-es node, amely az LPE jelölést viseli, és ezt követi később az LPP verzió. Ez pontosan ugyanaz a modell, amit a 14 nm-es gyártástechnológián alkalmaz a cég, vagyis lesz egy gyorsan elérhető eljárás a kezdeti érdeklődőknek, de a többség majd a kiforrott rendszert fogja igényelni.
Az EUV előnyei a Samsung tálalásában [+]
A Samsung beszélt a 7 nm-es gyártástechnológiáról is, amely a vállalat tervezi szerint már EUV (extrém ultraibolya sugárzású) litográfiát fog használni. Ehhez a tesztgépeket már elkezdte szállítani az ASML, ugyanakkor a bevezetés még így is kockázatos. A dél-koreai óriáscég azonban úgy látja, hogy 7 nm-es node-on, már annyira drága és emellett a gyártás szempontjából több szempontból is hátrányos lesz a szükséges többmenetes levilágítás, hogy a kritikus rétegek esetében nincs értelme halasztani az EUV bevezetését, függetlenül attól, hogy ez sem olcsó technológia.
