Hirdetés

A Samsung 2016-ban kezdi meg a tömeggyártást a 10 nm-es node-on

Hirdetés

A Samsung korábban már bejelentette, hogy a 14 nm-es FinFET node-ok mellett készül a 10 nm-es, szintén FinFET tranzisztorokat használó opció, amelynek megjelenéséről most bővebb információkkal is szolgált a cég.

A vállalat friss útiterve szerint a kísérleti gyártás még idén megkezdődik a 10 nm-es node-on, amit a következő év vége felé követ a tömeggyártás bevezetése is. Ez azt jelenti, hogy 2017-ben már több olyan lapka is piacra kerül, amelyek a Samsung 10 nm-es gyártástechnológiájára építenek. A vállalat természetesen a saját fejlesztéseinél kihasználja az új node-ot.

Arról még nincs adat, hogy a 10 nm-es opcióból hány verzió lesz, de valószínűsíthetően csak egy rendszerchipekre optimalizált.

Hirdetés

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés