A TSMC a terveknek megfelelően halad az EUV, azaz az extrém ultraibolya sugárzású litográfia bevezetésével, amellyel kapcsolatban korábban azt mondták, hogy 7 nm-en opcionális lesz, míg 5 nm-en már elkerülhetetlen.
A tajvani bérgyártó az első generációs 7 nm-es FinFET node esetében nem is használ EUV-t, de a legfrissebb adatok szerint a kihozatal a várakozásoknak megfelelően alakul, tehát ezzel önmagában nincs is gond. Az Apple és a Huawei már bemutatta az említett eljárást használó rendszerchipjeit, továbbá az AMD is közel van ahhoz, hogy kiadja az erre tervezett CPU-ját és GPU-ját. Természetesen később több partner leleplezi majd a 7 nm-es lapkáit, de a TSMC ezekről nem mond semmit, a szabályzatuk alapján konkrét bejelentéssel csak a megrendelő élhet.
Az EUV a második generációs 7 nm-es FinFET node-dal érkezik, amelynél a kísérleti gyártás az év végéig megkezdődik, míg a következő év tavaszán az 5 nm-es FinFET node is elérhetővé válik, természetesen csak kísérleti gyártás szintjén. Az utóbbi csíkszélességen az EUV megkerülhetetlen, így a TSMC nem kínál majd alternatív litográfiai megoldást, egyszerűen itt már túl kicsik ehhez az áramkörök.
Érdekesség, hogy az EUV-s node-októl nem érdemes lényeges teljesítménynövekedést várni. Ezek segítenek a lapka kiterjedését csökkenteni, illetve korlátozottan ugyan, de a fogyasztásra is jó hatással vannak, viszont túl nagy extra tempót már nem rejtenek az új gyártástechnológiai eljárások, ezekre tehát gondolni kell a lapkák tervezésénél.
Az EUV furcsasága, hogy elméletben kedveznie kellene az áraknak, hiszen a 193 nm-es hullámhosszú fénnyel dolgozó eljárásnál manapság többszöri átvilágítást is szokás alkalmazni ugyanazzal mintával, egymást kiegészítő maszkokkal, ami természetesen nem kedvez a költségeknek. Ezt a problémát az EUV megoldja, de maguk a gépek nem üzemelnek túl jó hatásfokkal, vagyis jelentős energiaigényük van, és emellett még a hőtermelésük is olyan magas, hogy speciálisan kell kialakítani az üzem hűtését. Ezek miatt az EUV jelenleg nem mondható olcsó megoldásnak, még akkor sem, ha elméletben segítenie kellene a gyártási költségek lefaragásán. Hosszabb távon viszont előnybe kerülhet az új litográfia, egyrészt egy bizonyos csíkszélesség alatt nincs más választás, másrészt a gépek folyamatosan fejlődnek, ami jobb hatásfokú gyártást biztosíthat. Vélhetően a TSMC emiatt is biztosít kétféle litográfiai opciót a 7 nm-es csíkszélességen, mivel jelenleg még nem egyértelmű, hogy melyik a kedvezőbb.
A TSMC a háttérben már tervezi a 3 nm-es node-ot, ez még nem elérhető a partnereknek, illetve itt már a FinFET-et is felváltja a GAAFET (Gate All Around FET) technológia, tehát egy komolyabb váltásról van szó. A tajvani bérgyártó a 3 nm-es eljárásról leghamarabb majd 2019-ben fog beszélni, a kísérleti gyártás pedig a 2020-as esztendő második felében kezdődhet meg.
