A TSMC váratlanul bejelentette, hogy készítenek egy 6 nm-es eljárást a már kísérleti gyártás fázisában lévő 5 nm-es EUV-s node mellé. A tajvani bérgyártó az új gyártástechnológiát a 7 nm-es EUV-s megoldás half-node-jának szánja, aminél 18%-kal jobb tranzisztorsűrűséget fog biztosítani, illetve természetesen EUV litográfiát fog használni.

A 6 nm-es node azonban csak később lesz kész, mivel a kísérleti gyártás majd csak a következő esztendő első negyedévében indulhat meg rajta. Ugyanakkor a TSMC nem gondolkodik rosszul, mivel az 5 nm-es eljárásukra való átállás igen jelentős költséggel jár majd a partnereik számára, így valószínűleg látják már, hogy sokan inkább maradnának majd 7 nm-en. Számukra lehet egy új út a 6 nm-es lépcső, ugyanis half-node-ról lévén szó, a 7 nm-hez kidolgozott technológiákat direkten fel lehet majd használni ehhez is. Így már jóval költségkímélőbb előrelépésről beszélünk, miközben értékelhető előnyt kínál.