A Toshiba a Flash Memory Summit rendezvényen bejelentette az XL-Flash névre keresztelt V-NAND fejlesztését, amely elsődlegesen a flashmemória teljesítményének komoly javítására koncentrál, amivel a Samsung Z-NAND megoldása után eredhet a cég a szerverpiac tekintetében.
Az XL-Flash alapvetően ott trükközik, hogy rövidebb bit- és szósorokat alkalmaz, amiből így sokkal több blokktömböt alakítanak ki a hagyományos NAND megoldásokhoz képest. Ez a felépítésbeli különbség természetesen speciális, ezen belül is kifejezetten bonyolult vezérlést igényel, de összességében egytizedére csökkenthető vele az olvasási késleltetés a jelenlegi TLC-s NAND flashmemóriákhoz viszonyítva, ami jobb IOPS eredményekhez vezethet.
(forrás: Tom's Hardware) [+]
A Toshiba az XL-Flash esetében marad a jól bevált BiCS háromdimenziós struktúránál, ennek is a negyedik generációs változatánál, így a készülő V-NAND lapkájuk 96 cellarétegű lesz. Ugyanakkor a teljesítmény maximalizálása érdekében SLC-s, vagyis cellánként csak egy bitet tároló megoldás készül, bár a cég nem zárta ki az MLC-t, ami később opció lehet. Az XL-Flash a teljesítményért tehát beáldozza a tárkapacitást, de valószínűleg a Toshiba szerint ez még így is megéri.
