A Toshiba bejelentette, hogy készül a világ első olyan BiCS háromdimenziós struktúrát használó V-NAND memóriája, amely a TSV (through-silicon VIA – Vertical Interconnect Access) stacking technológia segítségével több, egészen pontosan 16 darab lapkát tokoz egymásra.

Az iparág első ilyen fejlesztése abból a szempontból érdekes, hogy alacsony fogyasztás mellett képesek magas teljesítményt biztosítani, miközben még a késleltetés is csökken. Az első mérések szerint az energiahatékonyság a kétszeresére növekedett a nem TSV tokozású, de ugyanabból a generációból származó V-NAND memóriákhoz viszonyítva.

A Toshiba új fejlesztésén 16 darab, 48 cellarétegű, TLC-s V-NAND flash lapka van egybetokozva, ami összesen 1 TB-os kapacitást kínál, így az érkező újdonság a kapacitásnak és a kifejezetten erős IOPS/watt mutatónak hála jó alapja lehet a nagy teljesítményű, nagyvállalati SSD-knek.