A konkurensek, köztük a Hynix, a Toshiba és a SanDisk sorra próbálnak felzárkózni a Samsungra V-NAND flashmemóriák piacán, de a dél-koreai óriáscég nem adja az első helyet olyan könnyen, így bejelentették legújabb V-NAND megoldásukat.
A harmadik generációs fejlesztés igen jó paraméterekkel bír, mivel 48 cellaréteget használ, továbbá a cellák három bitet tárolnak, azaz a memória TLC-s megoldásnak számít. A Samsung jelentősen továbbfejlesztette a saját fejlesztésű belső összeköttetését, így sikeresen elérték a 256 gigabites kapacitást. Hasonló memóriát ugyan a Toshiba és a SanDisk is leleplezett nemrég, de a Samsung a saját termékét már tömeges mennyiségben gyártja, amivel ismét beelőztek mindenkit.
Az új lapka az előző generációs, 128 gigabites fejlesztéshez viszonyítva 30%-kal kevesebbet is fogyaszt, de persze ezt egységnyi adat tárolása mellett kell érteni, ami viszont így is jelentős előrelépés.
