A Samsung felvázolta a friss útitervét a készülő gyártástechnológiákról, amelyek szempontjából leghamarabb a 7 nm-es LPP (Low Power Plus) node érkezik, amely a FinFET technológiát használja, miközben már EUV litográfiára épít. Ezen a ponton a dél-koreai óriáscég nem törődik a megszokott módszerekkel, ahogy például teszi a TSMC a saját, első generációs 7 nm-es opciójánál, ugyanis az EUV-nek komoly előnye van, azzal együtt persze, hogy így az említett gyártástechnológia elérhetősége a következő év első felére csúszik. A kísérleti gyártás egyébként már idén megkezdődik, amivel pont megelőzik a TSMC és a GlobalFoundries 7 nm-es EUV megoldását is.
Az izgalmak itt kezdődnek, ugyanis a Samsung már javában tervezi az 5 nm-es LPE (Low Power Early) node-ot, szintén FinFET technológiával és EUV litográfiával, és ez valamikor a következő esztendő második felében lesz elérhető, de nem biztos, hogy mindenki számára, ugyanis a Samsung esetlegesen kisajátíthatja magának. 2020 elején azonban már a partnerek is elérhetik.
Az 5 nm-es node nem kap LPP variánst, ugyanis ezt a 4 nm-es LPE követi majd, várhatóan 2021 elején, az említett év végére pedig jöhet a 4 nm-es LPP verzió. Ezek lesznek egyébként az utolsó FinFET node-ok, ugyanis a szóban forgó struktúra alacsonyabb csíkszélességre már nem igazán skálázódik. Helyette a GAAFET (Gate All Around FET) technológiát használó lesz bevetve, legalábbis a Samsung tervezi szerint. Ezt a bérgyártó eredetileg a 4 nm-es node-ra tervezte, de egy ilyen váltás nem egyszerű, így inkább addig tartják életben a FinFET-et, ameddig elméletben lehetséges.
A 3 nm-es GAAE (Gate All Around Early) és GAAP (Gate All Around Plus) node-ok 2022 után érkeznek, de pontos dátum ezekkel kapcsolatban nincs. Ettől a node-tól egyébként komoly teljesítményjavulást lehet várni, bár konkrét adatokkal még nem szolgált a cég.
