A TSMC bejelentette, hogy megindult az 5 nm-es node-jukon a kísérleti gyártás, így a világon elsőként kínálnak dizájninfrastruktúrát az említett csíkszélességre. A friss közlemény szerint az új gyártástechnológia 1,8-szeres tranzisztorsűrűséget, illetve 15%-kal nagyobb teljesítményt kínál, természetesen a 7 nm-es opcióhoz viszonyítva. Ezt egy ARM Cortex-A72-es processzormagon mérték ki, de nyilván a ténylegesen piacra szánt lapkák esetében más adatokat lehet majd mérni.
Az 5 nm-es, csak EUV litográfiát kínáló node elsődlegesen a nagy teljesítményű rendszerchipekhez, illetve a HPC-piacra szánt lapkákhoz ideális. A kísérleti gyártás egyébként a korábbi terveknek megfelelő indult, így ha minden jól alakul, akkor az év végére tervezett tömeggyártás is tartható lesz. Ez azt jelenti, hogy a következő esztendőben már megérkezhetnek az első 5 nm-es lapkák a TSMC gyártósorairól.
Az 5 nm-es csíkszélesség lesz egyébként az utolsó, amely FinFET tranzisztorokat használ a TSMC portáján belül, mivel a már készül 3 nm-es node esetében GAAFET-re vált a cég. Utóbbi fejlesztésre vonatkozóan azonban még nem igazán vannak fix dátumok.
