Még 2023-ban írtunk arról, hogy megreformálná a DRAM-ot a Neo Semiconductor, amely vállalat most prezentálta a 3D X-DRAM tesztchipet. Ezzel bebizonyították, hogy a megoldásuk a meglévő 3D NAND berendezéseket felhasználva is legyártható, ami jelentős mérföldkőnek számít.
Hirdetés
A cég fejlesztése nagyon impozáns paraméterekkel is bír, többek között az olvasási és írási késleltetés 10 ns-nál kevesebb, 85°C-on pedig egy másodpercnél tovább is megőrzik az adatot, ami a JEDEC szabványban rögzített 64 ms-os elvárásnál 15-ször jobb. A bit-line zavarás, illetve a word-line zavarás 85°C-on szintén >1 másodperc, míg a tartósság >10¹⁴ ciklus.
A vállalat szerint az eredmények igazolják, hogy a 3D DRAM egy új irány lehet a DRAM skálázásához, ami a meglévő dizájnokhoz viszonyítva jelentősen nagyobb sűrűséget, alacsonyabb költségeket, illetve jobb energiahatékonyságot eredményez.
A következő lépés a tömbszintű megvalósítás, illetve a többrétegű tesztchipek fejlesztése, valamint a mélyebb együttműködés kialakítása a vezető memóriaipari szereplőkkel. A Neo Semiconductor jelenleg is aktív tárgyalásokat folytat iparági partnerekkel a technológia későbbi piacra dobása érdekében, és reményeik szerint a 3D X-DRAM a következő generációs AI memóriarendszerek alaptechnológiájává válhat.
