Az ETNews friss riportja szerint a Micron egy érdekes koncepción dolgozik, ami ötvözi a GDDR és a HBM szabványok egyes tulajdonságait. Konkrétan arról van szó, hogy a cég a GDDR memórialapkákat, a HBM-hez hasonlóan rétegezve helyezné egymásra, így növelve az egy memóriastackkel elérhető kapacitást. Mindez kifejezetten illeszkedik az AI-piacra szánt gyorsítók igényeihez.
A vállalat az ETNews információi szerint négy réteget tervez első körben, és ennek a prototípusa akár jövőre elkészülhet, miközben a gyártáshoz szükséges háttér tesztelése az idei évben kezdődhet meg.
Adott órajelen egyébként rétegzett GDDR memória sebessége nem lesz jobb a hagyományos GDDR szabványoknál, az elsődleges előnye inkább az lehet, hogy egységnyi memóriabuszon akár négyszeres memóriakapacitás is kiépíthető általa. Problémát jelenthet ugyanakkor a fogyasztás, mivel a GDDR memóriákat eredetileg nem tervezték ilyen jellegű felhasználásra, így nem is fókuszáltak a széles memóriabuszra, ami a HBM esetében megvan. Utóbbi az oka annak, hogy a HBM szabványú memóriák jóval kevesebbet fogyasztanak.
Az energiaigény tehát a gyakorlati megvalósítás tekintetében kulcskérdés lesz. Sőt, konkrétan ezen dőlhet el, hogy a rétegzett GDDR memória egyáltalán piacképes-e.
