Hirdetés
Az Intel bejelentette, hogy együttműködési megállapodást kötöttek a Softbank leányvállalatának számító Saimemory-vel a következő generációs, AI adatközpontokba szánt nagy teljesítményű memória kifejlesztése céljából. Ez a projekt a ZAM, azaz a Z-Angle Memory nevet viseli, és a Nikkei korábbi riportja szerint a HBM memóriaszabvány dominanciáját törné le, méghozzá azáltal, hogy két-háromszoros kapacitást kínálna, feleakkora fogyasztással, illetve 60%-kal alacsonyabb gyártási költséggel. A Saimemory szerint ezt úgy érnék el, hogy Intel EMIB technológiáját felhasználva több DRAM-ot rétegeznek egymásra függőlegesen.
Az egyezmény szerint az Intel felelne a szabványosításért, míg a Saimemory a kereskedelmi bevezetésért. Utóbbi vállalat úgy tervezi, hogy a legelső ZAM prototípus 2027-ben készül el, és ennek a tesztjei határozzák majd meg, hogy mikor lehet belőle kereskedelmi termék. Ha minden a legnagyobb rendben zajlik, akkor leghamarabb 2030-ban kezdődhet meg a tömeggyártás.
