Hirdetés
A DTS Inc. már régóta olyan nagy teljesítményű merevlemezek kifejlesztésén dolgozik, amelyeket elsősorban azokhoz a vállalati rendszerekhez ajánlanak, ahol egy időben sok I/O művelet végrehajtására van szükség. Ennek megvalósításához a hibrid merevlemezekben található flashchipes megoldás helyett 1 GB-nyi SDRAM-ot használnak fel.
Ez a megoldás a gyártó szerint tízszeres, vagy esetenként akár százszoros műveletvégrehajtási sebességet is eredményezhet, és az adatátvitel is nyolcszorosára gyorsulhat a hagyományos kialakítású merevlemezekhez képest. A DRAM egyetlen hátrányát is kiküszöbölték, egy esetleges áramszünet bekövetkeztekor a beépített szünetmentes tápegység biztosítja, hogy a benne tárolt adatok ne vesszenek el. Ez 90 másodpercnyi áthidalási időtartamot biztosít, ami elegendő a memóriában tárolt adatok merevlemezre írásához.
Az Mcell 1,5 Gbps-os és 3 Gbps-os SATA csatolóval egyaránt kapható lesz, önmagában és RAID kialakításban is. A különálló, 3,5 colos egység merevlemezének tárkapacitása ezentúl már 500 GB is lehet, és 5400-as vagy 7200-as fordulatszámmal dolgozhat. A gyártó nemcsak merevlemezeket kíván felgyorsítani ezzel a technológiával, készülőben vannak az 1 GB SDRAM-mal szerelt Solid State meghajtóik is, amelyek 64, 128 és 256 GB-os tárkapacitással lesznek elérhetők, olvasási és írási sebességük pedig 220, illetve 200 MB/s lesz.