A TSMC az év második felében készül elő a 10 nm-es node-hoz

A TSMC bejelentette, hogy a következő héten megkezdi a 10 nm-es gyártástechnológia bevezetéséhez szükséges rendszerek kiépítését a Fab 15-ös üzem Phase 5 jelzésű gyárépületében. Ez szükséges lépés a kísérleti gyártás megkezdéséhez, amely jelenleg az idei év végére van tervezve.

A vállalat 10 nm-es node-ja a 16 nm-es FinFET+ opcióhoz viszonyítva 20%-kal magasabb órajel elérésére ad lehetőséget azonos fogyasztás mellett, vagy azonos órajelen 40%-kal alacsonyabb lehet a fogyasztás. Mindemellett az SRAM cellákból álló tesztlapka kiterjedése a 110%-kal kisebb az új node-on. Ezek az értékek persze tényleg csak a tesztlapkára vonatkoznak, mivel egy komplex SoC esetében számos más tényező is közrejátszik, de egyelőre ennyi adat érhető el.

A TSMC ezúttal is elmondta, hogy 2016 végén már megkezdenék a tömeggyártást, így 2017 elején már elérhetők lennének a vállalat 10 nm-es node-ján készülő rendszerchipek.

  • Kapcsolódó cégek:
  • TSMC

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés