A Samsung bejelentette, hogy beindult a legmodernebb, DDR3 szabványú memórialapkájukat tömeggyártása, mely 20 nm-es gyártástechnológiával készül. A 4 gigabites kapacitást kínáló lapka az előző generációs, 25 nm-es eljárással gyártott opcióhoz képest 25%-kal fogyaszt kevesebbet azonos teljesítmény mellett.

Az új memórialapka elsődlegesen azért érdekes, mert a Samsung továbbra is a meglévő litográfiai eszközöket használja, ami 20 nm-es csíkszélességen, vagy alatta igen nehézkes. Éppen ezért a vállalat módosította a kétszeres mintázást, ami ugyan az áramkör alapvető áttervezésével járt, de biztosítja majd a 10 nm-es osztályú gyártástechnológia használatát is a litográfiai eszközök cseréje nélkül. Az áramkör áttervezése egyébként növelte a cellák teljesítményét is.

A Samsung új memóriája főleg SO-DIMM, illetve szerverekbe szánt memóriamodulokon tűnhet fel.