Két fontos eredményről számolhattak be az ISSCC konferencián a SanDisk és a Toshiba közös fejlesztési programjában dolgozó mérnökök. Az első egy 43 nm csíkszélességű technológiával előállított, MLC rendszerű NAND flash chip. Az új gyártási eljárás a korábbi 56 nm-eshez képest jelentős, körülbelül 30 százalékos méretcsökkenést eredményezett, a 16 gigabit kapacitású lapka alapterülete 120 négyzetmilliméterre zsugorodott. A miniatürizálás mellett az áramkör áttervezése is hozzájárult a kisebb méret eléréséhez, közvetve a gyártási költség csökkentéséhez.

A Toshiba által Japánban előállított 16 gigabites chipekből egyelőre minták állnak rendelkezésre, a tömegtermelés márciusban indul be. A harmadik negyedév folyamán elkezdik a 32 gigabites memóriachipek sorozatgyártását, és ugyanerre az időszakra tervezik egy másik üzemegység átállását is a 43 nm-es technológiára.

Bár a flashmemória miniatürizálása még korántsem ért el végső határaihoz a gyárthatóság szempontjából, a szakemberek az adatsűrűség növelésének másfajta eszközeit is bevetik. A SanDisk és a Toshiba másik újdonsága még 56 nm-es csíkszélességgel valósult meg, viszont egy cellában három bitet képes tárolni. Az azonos csíkszélességű, de 2 bit/cellás MLC NAND flash chiphez képest a jelentős a helymegtakarítás: egy szilíciumostyára mintegy 20 százalékkal több mag kerülhet, ami megint csak költségcsökkenést eredményez. A fejlesztők szerint az új eljárás sem a sebességet, sem a megbízhatóságot nem érinti hátrányosan; a most bemutatott 16 gigabites lapka írási teljesítménye 8 MB/s. A 3 bit/cellás NAND flash sorozatgyártása már a küszöbön áll, ez év március-áprilisában kezdődhet meg.