A Samsung a jelenleg is zajló ISSCC rendezvényen bejelentette, hogy a 14 nm-es node-ok folyamatos bevezetése mellett már aktívan dolgoznak a 10 nm-es gyártástechnológián.
Dr. Kinam Kim, a Samsung bérgyártásért felelős üzletágának vezetője szerint az első 10 nm-es node-ot a következő év végén teszik majd elérhetővé, így várhatóan 2017-ben már készül olyan lapka, amely erre a technológiára épül.
A Samsung a távolabbi jövőről is beszélt, ezen belül is a 7 nm-es gyártástechnológia már terítéken van, de ehhez mindenképp új tranzisztorstruktúrára lesz szükség. A vállalat szerint a 14 és 10 nm-en használt FinFET tranzisztorok leváltására a GAAFET (gate-all-around FET) tűnik a legígéretesebb iránynak. Ez implementálható szilícium, illetve indium gallium arzenid (InGaAs) nanoszállal is.
A Samsung az 5 nm elérését is reálisnak tartja, de ez még túl távoli terv ahhoz, hogy a konkrétumokról legyen szó.
