A tajvani székhelyű TSMC bejelentette ütemtervét a 28 nm-es csíkszélességű gyártástechnológiával kapcsolatban. A bérgyártással foglalkozó cég nagy reményeket fűz az új eljáráshoz, emiatt a partnerek igényeihez alkalmazkodva kétféle módszert is kifejlesztettek. Az egyik a nagy teljesítményű lapkák, például a grafikus processzorok elkészítésére lesz alkalmas, és a 28HP (High Performance) nevet kapta. Ez lesz a TSMC első olyan gyártástechnológiai megoldása, amely HKMG (High-k Metal Gate) tranzisztorokat alkalmaz. Használatukkal – a gyártó állítása szerint és a 40 nm-es gyártástechnológiát alapul véve – megkétszerezhető az egységnyi területen található tranzisztorok száma, és azok kapcsolási sebessége is 30%-kal gyorsul.

A második technológia az alacsony fogyasztású lapkák előállítására lesz kihegyezve, amelyek elsősorban hordozható eszközökbe készülnek, ahol fontos az akkumulátoros üzemidő kiterjesztése. A 28LP (Low Power) a már bizonyított SiON-t (szilícium-oxi-nitrid) használja fel a tranzisztorokban, ami 25 és 40% közötti teljesítménynövekedést eredményez 30-50%-kal alacsonyabb fogyasztási értékek mellett, mindezt a 45 nm-es gyártástechnológiai eljáráshoz viszonyítva. Ezt az anyagot a többi félvezetőgyártó már egy évvel ezelőtt leírta, mondván, hogy 40 nm-es csíkszélesség alatt már nem skálázódik megfelelően, de úgy tűnik, a TSMC felülkerekedett a problémákon.

Kész 28 nm-es ostya SRAM tesztchipekkel - Fotó: HKEPC

A TSMC készen áll mindkét technológia élesben való alkalmazására, amit egy elkészített, 64 megabites SRAM cellákat tartalmazó ostyával is alátámasztottak. Elmondásuk szerint a kihozatali arány már megfelelő arra, hogy a tömeggyártásban is használható legyen, ami reményeik szerint 2010 első felében be is indulhat. Ezzel a TSMC lenne a világelső 28 nm-en, mivel a többi félvezetőgyártó leghamarabb csak 2010 második felében tervezi az új csíkszélesség bevezetését.