Intel: úton a 65 nanométer felé

A Channel Times című szaklap értesülései szerint az Intel jól halad a 65 nanométeres gyártástechnológia előkészítésével. A vállalat működőképes SRAM (statikus RAM) lapkákat állított elő a tervek szerint 2005-ben bevezetendő technológiával.

A lap idézi Sunlin Chou-t, az Intel Technology and Manufacturing csoportjának vezető alelnökét. A szakember elmondása szerint a 65 nanométeres csíkszélesség bevezetése 2005-ben esedékes, azaz a vállalat továbbra is tartja magát ahhoz a 15 éve működő modellhez, mely szerint kétévenként korszerűbb gyártástechnológiára vált. "Ezúttal csupán 20 hónap telt el azóta, hogy bemutattuk az első 90 nanométeres csíkszélességgel gyártott SRAM memóriáink működő mintapéldányait, és ezt a [90 nanométeres] technológiát már sorozatgyártásban alkalmazzuk" -- mondta Chou.

A 65 nanométeres csíkszélességű áramkörök gyártása során az Intel a feszített szilícium technológia második generációs változatát alkalmazza rézhuzalozás és alacsony k állandójú dielektrikumok használata mellett. A lap arról nem számolt be, hogy hány bites memórialapka mintapéldányait készítette el a vállalat.

  • Kapcsolódó cégek:
  • Intel

Azóta történt

Előzmények

Hirdetés