A nagyteljesítményű hálózatok esetében rendkívül fontos szempont az alacsony késleltetésű memóriák alkalmazása. A memóriagyártók természetesen felismerték az igényeket, és évek óta szállítják a RLDRAM-ot, azaz Reduced Latency DRAM lapkákat. A Micron mérnökei elérkezettnek látták az időt a újításra, így bejelentették, hogy érkeznek a harmadik generációs RLDRAM termékeket, melyek elődeiknél alacsonyabb sor-ciklusidővel rendelkeznek. Ez az érték akár 10 ns alá is csökkenhet, ami valóban nagyon gyorsnak számít, még az előd 15-20 ns-os paraméteréhez viszonyítva is.

A 576 megabites illetve 1 gigabites RLDRAM 3 technológiára épülő lapkák mag- és I/O feszültsége rendre 1,2 és 1,35 V lehet. Az x18-as és x36-os konfigurációhoz igazított chipek sebessége a 2133 megabit/s-os értéket is elérheti, de ennél kisebb tempóval is elérhetők lesznek a friss versenyzők.

A Micron az első mintákat 2011 első felében kezdi szállítani, a tömeggyártásra viszont 2012-ig várni kell.