A Walton Chaintech bemutatta Apogee GT Blazer memóriacsaládjának legújabb tagját. A DDR3-1800 sebességű szett ugyanúgy CL 8-8-8-24 időzítésekkel használható, mint a korábbi modellek, ám két tekintetben is újdonságnak számít. Egyrészt nagy tárhelyet biztosít, ugyanis két 2 GB kapacitású modulból áll, másrészt valamivel kisebb feszültséggel is beéri: míg a korábbi DDR3-as Apogee modulok típustól függően 2,1 vagy 1,9 volton érték el az 1800 MHz-et, addig az új modell 1,8 volton hajtható – igaz, ez még mindig nagyobb, mint a technológia számára előirányzott 1,5 volt, de a tuningos szegmensben korántsem számít kirívó értéknek.

A Samsung gyártmányú chipek hűtéséről a Cool It Smart megoldás gondoskodik, melynél termetes alumínimborda egészíti ki a modulok saját borítását, és opcionálisan ventilátor is szerelhető rá. Az APOGEE GT Blazer DDR3-1800 Low Voltage Memory kompatibilis az NVIDIA finomhangolást, tuningot segítő EPP 2.0 technológiájával.