A Samsung Electronics október végén jelentette be, hogy – egyelőre csak tesztelési, fejlesztési célokra – megkezdte GDDR4 rendszerű memóriachipjei szállítását partnerei számára. A Samsung gyorsaságára az ugyancsak koreai Hynix Semiconductor az adatsűrűség emelésével tromfol; míg vetélytársa 256 megabites lapkák készítéséig jutott, addig a Hynix 512 megabites chipekről adott hírt. Ráadásul ez utóbbiak nagyobb adatátviteli sebességet, a gyártó adatai szerint 2,9 Gbps-ot biztosítanak. (A chipek 16Mx32 felépítésűek, azaz egyetlen chip külső sávszélessége jelenleg 11,6 GB/s, amit a fejlesztők 2006 második felére 14,4 GB/s-ig kívánnak növelni.) A Samsung első mintái 2,5 Gbps-ot nyújtanak, és a 2005-ös év végéig a vállalat a 2,8 Gbps-ot irányozta elő.

A Hynix hamarosan megkezdi a tesztpéldányok szállítását, a tömegtermelést pedig 2006 elejére tervezi, vagyis akár még meg is előzheti a sorozatgyártást 2006 második negyedévére ütemező vetélytársát. A kis távolságú pont-pont kapcsolatokban használatos GDDR4 chipek mindenekelőtt a közeljövő csúcsteljesítményű grafikus kártyáin lesznek megtalálhatók. Előnyük a konkurens Rambus XDR technológiával szemben, hogy a széles körben alkalmazott GDDR3 lapkák továbbfejlesztésének tekinthetők, így felhasználásuk nem jár túlzott átállási költségekkel.