Számos gyártó és fejlesztőlaboratórium ugrásra készen várja, hogy a flashmemória elérje technológiai határait. A folytonos táplálás híján sem felejtő (non-volatile) és időközben mind olcsóbbá váló memóriatípus egyre közkedveltebbé válik, mivel sok eszközben vagy kiváltja a merevlemezt, vagy – ahol szóba sem jöhetett winchester alkalmazása – korábban elérhetetlen tárkapacitást kínál. Az egyébként is működő trendek mellett persze a gyártók is mindent megtesznek azért, hogy a flash egyre elterjedtebbé váljon, így ha évek múltán valóban kifullad a technológia, a keletkező vákuum miatt több konkurens megoldásnak is jó esélye van arra, hogy rövid idő alatt szinte berobbanjon a piacra, és elfoglalja a flash helyét. Nincs is hiány bejelentésekből.

Több vállalat, illetve konzorcium adott már hírt a PRAM (vagy PCM) eljárásról, sőt az Intel kilátásba helyezte, hogy még ebben az évben megkezdi az újfajta memóriák gyártását. Időközben az Intel és az STMicroelectronics egyesítette flashmemória üzletágait, és a Numonyx néven induló vegyesvállalat örökölte a PRAM technológiát is – úgy tűnik, az átszervezések egyelőre háttérbe szorították a gyártás beindítását is. Nemrég hallhattunk arról, hogy a PMCm memóriatípust is sikerült tömeggyártásra alkalmassá tenni, de a piaci bevezetésig – bár több iparági óriástól folyik pénz a fejlesztésbe – vélhetően itt is több év fog még eltelni. Ugyancsak rendszeresen érkeznek hírek a FeRAM és MRAM memóriákról, melyek javítgatása voltaképp évtizedek óta folyik, de – részint a potenciális versenytársakként megjelölt technológiák gyors fejlődési üteme miatt – a piacra lépést eddig senki nem kockáztatta meg.

A fentiekhez hasonlóan az ellenállás megváltoztatásán alapul a ReRAM (Resistive RAM); az egyes cellák kis, illetve nagy ellenállású állapota reprezentálja a 0 és 1 biteket. A ReRAM-ban olyan anyagot használnak, amely feszültség hatására változtatja ezt a tulajdonságát. A technológia alkalmas a tömeggyártásra, olcsó chipek előállítását teszi lehetővé, és belátható időn belül jól miniatürizálható. A kihívást elsősorban az jelenti, hogy csökkentsék az állapotváltásokhoz szükséges töltést, valamint egyenletessé tegyék az egyes állapotokat reprezentáló ellenállási értékeket, melyek különösen gyors írás-törlési ciklusok alatt hajlamosak ingadozásra.

A Fujitsu egy múlt heti szakmai konferencián közölte, hogy új ReRAM prototípusai komoly előrelépést hoztak e téren. A hagyományosan alkalmazott nikkeloxid rétegbe titánt kevertek, ez lehetővé tette a feszültség emelését, amivel együtt a törlési sebesség mintegy tízezerszeresére, 5 ns-ra gyorsult. Az ellenállási értékek sokkal kiegyenlítettebbekké váltak, ingadozásuk tizede a korábbinak, ami az adattároló minőségének és megbízhatóságának javulását jelenti. A feszültség növelésével párhuzamosan csökkent az egy törlési művelethez szükséges áram, ami jelenleg 100 mikroamper vagy kevesebb. A kutatók tovább folytatják a ReRAM csiszolását és méretcsökkentését, azonban közleményük egyelőre nem szól arról, mikor látják reális esélyét a piaci bevezetésnek.