A nagyobb memóriagyártók egymás után jelentették be, hogy megkezdték a kisebb csíkszélességre való átállást. A Samsung 40 nm-es, a Qimonda 46 nm-es, az Elpida 50 nm-es gyártástechnológia bevezetésén munkálkodik, hozzájuk most a Hynix is csatlakozott. A gyártó által kiadott közlemény szerint elkészültek az első, 40 nm-es csíkszélességen legyártott 1 gigabites (128 MB) memóriachipek, amelyek megfelelnek a DDR3 szabványban foglaltaknak, validálásukat hamarosan az Intel is megkezdi.

A Hynix nemcsak a gyártástechnológián változtatott, de újfajta, háromdimenziós felépítésű tranzisztorokat is felhasznált elkészítésük során. Ennek köszönhetően ugyanakkora szilíciumszeletből 50%-kal nagyobb kihozatali arányt képesek elérni az előzőleg használt 50 nm-es csíkszélességhez képest, emellett sikerült minimalizálni a szivárgó áram mértékét is, ami jó hatással van a memórialapkák fogyasztására. A Hynix a H5TQ1G83CFR típusjelű, 2133 megabit/s-os csúcssebességre képes chipek tömegtermelését 2009 harmadik negyedévében indítja be.