Nemrég a Toshiba jelentette be, hogy a harmadik negyedévben megkezdi 19 nm-es, Toggle DDR2.0-s interfészen kapcsolódó 64 Gb kapacitású MLC NAND flash lapkák gyártását, most pedig a Samsung közölte, hogy készen áll a gyártásra.

A Toggle DDR2.0 felület másodpercenként 400 megabit átvitelére képes, szemben az SDR NAND megoldások 40 megabites, valamint a Toggle DDR1.0 133 megabites tempójával szemben, ezért az új 64 gigabites (8GB-os) chipeket elsősorban nagy teljesítményű felhasználási területen érdemes alkalmazni, mint például az SSD-kben, tabletekben vagy okostelefonokban.

A Samsung memória üzletág sales és marketing ügyvezető alelnöke ígérete szerint a koreai vállalat nem áll meg itt, hanem folytatja a gyorsabb és nagyobb sűrűségű toggle DDR NAND flash megoldások fejlesztését. A most ismertetett termék nem csak gyorsabb, mint a tavaly április óta készülő Toggle DDR1.0 felületet alkalmazó 20 nm-es, 32 Gb-es MLC NAND flash chip, hanem gyártása is 50%-kal hatékonyabb.